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| Name | Wert |
|---|---|
| Produktstatus | Last Time Buy |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain-Source-Spannung (VDSS) | 20 V |
| Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C | 5.7A (Ta) |
| Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) | 2.7V, 4.5V |
| rds ein (max) @ id, vgs | 35mOhm @ 3.8A, 4.5V |
| vgs(th) (max) @ ID | 700mV @ 250µA (Min) |
| Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs | 22 nC @ 4.5 V |
| vgs (max) | ±12V |
| Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds | 650 pF @ 15 V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 1.8W (Ta) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montageart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | Micro8™ |
| Paket / Koffer | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) |
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