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IRF7805PBF

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MOSFET N-CH 30V 13A 8SO

IRF7805PBF Technisches Datenblatt

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IRF7805PBF Preise und Bestellung

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Name Wert
Produktstatus Discontinued at Digi-Key
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 13A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V
rds ein (max) @ id, vgs 11mOhm @ 7A, 4.5V
vgs(th) (max) @ ID 3V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 31 nC @ 5 V
vgs (max) ±12V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds -
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 2.5W (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket 8-SO
Paket / Koffer 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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Zugehörige Teilenummer

MCP55H12-BP
R4008ANDTL
R4008ANDTL
$0 $/Stück
IXFH6N100
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$0 $/Stück
STL70N10F3
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$0 $/Stück
IRLU4343PBF
NTB6410ANG
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$0 $/Stück
CMS40N03V8-HF

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