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IRF7807ZPBF

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MOSFET N-CH 30V 11A 8SO

IRF7807ZPBF Technisches Datenblatt

nicht konform

IRF7807ZPBF Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.25000 $0.25
500 $0.2475 $123.75
1000 $0.245 $245
1500 $0.2425 $363.75
2000 $0.24 $480
2500 $0.2375 $593.75
1710 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Discontinued at Digi-Key
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 11A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 13.8mOhm @ 11A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.25V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 11 nC @ 4.5 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 770 pF @ 15 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 2.5W (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket 8-SO
Paket / Koffer 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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Zugehörige Teilenummer

SIJ420DP-T1-GE3
AUIRFS3004-7P
IRFSL3206PBF
MTB29N15ET4
MTB29N15ET4
$0 $/Stück
FDP24N40
FDP24N40
$0 $/Stück
EPC2014C
EPC2014C
$0 $/Stück
IRFD320PBF
IRFD320PBF
$0 $/Stück
SIR580DP-T1-RE3
RQ5E025SPTL

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