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IRF8010PBF

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MOSFET N-CH 100V 80A TO220AB

IRF8010PBF Technisches Datenblatt

nicht konform

IRF8010PBF Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $2.30000 $2.3
50 $1.85300 $92.65
100 $1.66770 $166.77
500 $1.29706 $648.53
1,000 $1.07471 -
6 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 100 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 80A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 15mOhm @ 45A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 120 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 3830 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 260W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220AB
Paket / Koffer TO-220-3
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Zugehörige Teilenummer

ZVN2120GTA
FDN340P
FDN340P
$0 $/Stück
PSMN059-150Y,115
IXTK170N10P
IXTK170N10P
$0 $/Stück
STP28N60DM2
RQ5E040TNTL
SI7115DN-T1-GE3
IXFX230N20T
IXFX230N20T
$0 $/Stück

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