Welcome to ichome.com!

logo
Heim

STP28N60DM2

STP28N60DM2

STP28N60DM2

MOSFET N-CH 600V 21A TO220

STP28N60DM2 Technisches Datenblatt

compliant

STP28N60DM2 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $6.21000 $6.21
50 $5.06360 $253.18
100 $4.64550 $464.55
500 $3.83040 $1915.2
1,000 $3.28700 -
2,500 $3.14070 -
30 items
Bom Kosten senken
Bom Kosten senken
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 21A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 160mOhm @ 10.5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 34 nC @ 10 V
vgs (max) ±25V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1500 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 170W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220
Paket / Koffer TO-220-3
Das Laden der PDF ist fehlgeschlagen. Sie können versuchen, sie in einem neuen Fenster zu öffnen, um darauf zuzugreifen [Offen], oder klicken Sie hier, um zurückzukehren

Zugehörige Teilenummer

RQ5E040TNTL
SI7115DN-T1-GE3
IXFX230N20T
IXFX230N20T
$0 $/Stück
SIHA15N60E-GE3
SI7852DP-T1-E3
SIS488DN-T1-GE3
MCH3477-TL-W
MCH3477-TL-W
$0 $/Stück

Ihr zuverlässiger Partner in der Elektronik

Wir sind bestrebt, Ihre Erwartungen zu übertreffen. IChome: Kundenservice neu definiert für die Elektronikbranche.