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SIS488DN-T1-GE3

SIS488DN-T1-GE3

SIS488DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 40V 40A PPAK1212-8

compliant

SIS488DN-T1-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.45920 -
6,000 $0.43764 -
15,000 $0.42224 -
Inventory changes frequently.
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 40 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 40A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 5.5mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.2V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 32 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1330 pF @ 20 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® 1212-8
Paket / Koffer PowerPAK® 1212-8
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Zugehörige Teilenummer

MCH3477-TL-W
MCH3477-TL-W
$0 $/Stück
SIDR668ADP-T1-RE3
NVD14N03RT4G
NVD14N03RT4G
$0 $/Stück
NVMFS5C456NLWFAFT3G
NVMFS5C456NLWFAFT3G
$0 $/Stück
NVTYS010N06CLTWG
NVTYS010N06CLTWG
$0 $/Stück
R6020ENX
R6020ENX
$0 $/Stück
ZVP2106ASTZ
2SK2161
2SK2161
$0 $/Stück
SI4840BDY-T1-E3

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