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IRFB4310PBF

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MOSFET N-CH 100V 130A TO220AB

IRFB4310PBF Technisches Datenblatt

nicht konform

IRFB4310PBF Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $3.47000 $3.47
50 $2.83140 $141.57
100 $2.59780 $259.78
500 $2.14200 $1071
1,000 $1.83813 -
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 100 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 130A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 7mOhm @ 75A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 250 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 7670 pF @ 50 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 300W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220AB
Paket / Koffer TO-220-3
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Zugehörige Teilenummer

STW24NM60N
STW24NM60N
$0 $/Stück
FCD5N60TM
FCD5N60TM
$0 $/Stück
FDS6688S
NTTFS5C460NLTAG
NTTFS5C460NLTAG
$0 $/Stück
DMN61D9U-13
FQB55N10TM
FQB55N10TM
$0 $/Stück
STF33N60DM6
SQS164ELNW-T1_GE3
NVMFS5C423NLAFT1G
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$0 $/Stück

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