Welcome to ichome.com!

logo
Heim

IRFB5620PBF

IRFB5620PBF

IRFB5620PBF

MOSFET N-CH 200V 25A TO220AB

IRFB5620PBF Technisches Datenblatt

nicht konform

IRFB5620PBF Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $2.37000 $2.37
10 $2.14200 $21.42
100 $1.72090 $172.09
500 $1.33846 $669.23
1,000 $1.10900 -
400 items
Bom Kosten senken
Bom Kosten senken
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 200 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 25A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 72.5mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 100µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 38 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1710 pF @ 50 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 144W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220AB
Paket / Koffer TO-220-3
Das Laden der PDF ist fehlgeschlagen. Sie können versuchen, sie in einem neuen Fenster zu öffnen, um darauf zuzugreifen [Offen], oder klicken Sie hier, um zurückzukehren

Zugehörige Teilenummer

NTMTSC1D6N10MCTXG
NTMTSC1D6N10MCTXG
$0 $/Stück
STD12N60DM2AG
SQJA88EP-T1_GE3
IXFK64N60P3
IXFK64N60P3
$0 $/Stück
SUP40010EL-GE3
SIHA18N60E-E3
SI7848BDP-T1-E3

Ihr zuverlässiger Partner in der Elektronik

Wir sind bestrebt, Ihre Erwartungen zu übertreffen. IChome: Kundenservice neu definiert für die Elektronikbranche.