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IRFR9N20DPBF

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MOSFET N-CH 200V 9.4A DPAK

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Name Wert
Produktstatus Discontinued at Digi-Key
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 200 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 9.4A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 380mOhm @ 5.6A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 27 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 560 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 86W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket D-Pak
Paket / Koffer TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Zugehörige Teilenummer

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