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IRFZ34NPBF

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MOSFET N-CH 55V 29A TO220AB

IRFZ34NPBF Technisches Datenblatt

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IRFZ34NPBF Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $1.10000 $1.1
10 $0.95900 $9.59
100 $0.75050 $75.05
500 $0.56762 $283.81
1,000 $0.46313 -
7833 items
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 55 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 29A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 40mOhm @ 16A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 34 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 700 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 68W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220AB
Paket / Koffer TO-220-3
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Zugehörige Teilenummer

SI3415-TP
SI3415-TP
$0 $/Stück
SI5418DU-T1-GE3
STL86N3LLH6AG
ZVP2106A
ZVP2106A
$0 $/Stück
SQ3426EV-T1_BE3
MTP16N25E
MTP16N25E
$0 $/Stück

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