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IRL6372PBF

IRL6372PBF

IRL6372PBF

MOSFET 2N-CH 30V 8.1A 8SO

IRL6372PBF Technisches Datenblatt

compliant

IRL6372PBF Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
Inventory changes frequently.
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Discontinued at Digi-Key
FET-Typ 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 8.1A
rds ein (max) @ id, vgs 17.9mOhm @ 8.1A, 4.5V
vgs(th) (max) @ ID 1.1V @ 10µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 11nC @ 4.5V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1020pF @ 25V
Leistung - max. 2W
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket 8-SO
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Zugehörige Teilenummer

SI5904DC-T1-E3
IRF7328PBF
SI5903DC-T1-E3
NVLJD4007NZTAG
NVLJD4007NZTAG
$0 $/Stück
SI7983DP-T1-GE3
PMGD370XN,115
SP8M5FU6TB
SP8M5FU6TB
$0 $/Stück
SI4830CDY-T1-E3

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