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IRLL014NPBF

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MOSFET N-CH 55V 2A SOT223

IRLL014NPBF Technisches Datenblatt

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Name Wert
Produktstatus Discontinued at Digi-Key
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 55 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 2A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 140mOhm @ 2A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 14 nC @ 10 V
vgs (max) ±16V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 230 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 1W (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket SOT-223
Paket / Koffer TO-261-4, TO-261AA
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Zugehörige Teilenummer

STB11NM60N-1
IRFR420BTM
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$0 $/Stück
STF10N105K5
IRFF213
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$0 $/Stück
IRLZ24L
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SUD50N02-09P-E3
STP8NM60ND
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