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| Name | Wert |
|---|---|
| Produktstatus | Active |
| FET-Typ | P-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain-Source-Spannung (VDSS) | 60 V |
| Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C | 2.8A (Ta) |
| Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) | 10V |
| rds ein (max) @ id, vgs | 125mOhm @ 2.8A, 10V |
| vgs(th) (max) @ ID | 4V @ 520µA |
| Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs | 20.2 nC @ 10 V |
| vgs (max) | ±20V |
| Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds | 790 pF @ 30 V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 1.8W (Ta), 4.2W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montageart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | PG-SOT223-4 |
| Paket / Koffer | TO-261-4, TO-261AA |
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