Welcome to ichome.com!

logo
Heim

NVE4153NT1G

NVE4153NT1G

NVE4153NT1G

onsemi

MOSFET N-CH 20V 915MA SC89

NVE4153NT1G Technisches Datenblatt

nicht konform

NVE4153NT1G Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.19817 -
6,000 $0.18603 -
15,000 $0.17388 -
30,000 $0.16538 -
4415 items
Bom Kosten senken
Bom Kosten senken
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 20 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 915mA (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 1.5V, 4.5V
rds ein (max) @ id, vgs 230mOhm @ 600mA, 4.5V
vgs(th) (max) @ ID 1.1V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 1.82 nC @ 4.5 V
vgs (max) ±6V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 110 pF @ 16 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 300mW (Tj)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket SC-89-3
Paket / Koffer SC-89, SOT-490
Das Laden der PDF ist fehlgeschlagen. Sie können versuchen, sie in einem neuen Fenster zu öffnen, um darauf zuzugreifen [Offen], oder klicken Sie hier, um zurückzukehren

Zugehörige Teilenummer

PMN120ENEAX
PMN120ENEAX
$0 $/Stück
SCH1436-TL-H
SCH1436-TL-H
$0 $/Stück
NVTFS5C658NLWFTAG
NVTFS5C658NLWFTAG
$0 $/Stück
IRFR9024TRPBF-BE3
STS10N3LH5
STS10N3LH5
$0 $/Stück
SIHP100N60E-GE3
ZVP3310A
ZVP3310A
$0 $/Stück
SQS484ENW-T1_GE3
FQI13N06LTU

Ihr zuverlässiger Partner in der Elektronik

Wir sind bestrebt, Ihre Erwartungen zu übertreffen. IChome: Kundenservice neu definiert für die Elektronikbranche.