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SQS484ENW-T1_GE3

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Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 40V 16A PPAK1212-8

nicht konform

SQS484ENW-T1_GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.36612 -
6,000 $0.34236 -
15,000 $0.33048 -
30,000 $0.32400 -
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 40 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 16A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 8mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 35 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1800 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 62.5W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® 1212-8
Paket / Koffer PowerPAK® 1212-8
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