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SIHP100N60E-GE3

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SIHP100N60E-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 600V 30A TO220AB

SOT-23

nicht konform

SIHP100N60E-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $5.70000 $5.7
10 $5.10700 $51.07
100 $4.22020 $422.02
500 $3.45140 $1725.7
1,000 $2.93888 -
3,000 $2.80090 -
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 30A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 100mOhm @ 13A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 50 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1851 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 208W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220AB
Paket / Koffer TO-220-3
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Zugehörige Teilenummer

ZVP3310A
ZVP3310A
$0 $/Stück
SQS484ENW-T1_GE3
FQI13N06LTU
FDN363N
FQPF3N80
SIS606BDN-T1-GE3
NTMFS4833NT1G
NTMFS4833NT1G
$0 $/Stück

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