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IXFA18N60X

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IXYS

MOSFET N-CH 600V 18A TO263AA

SOT-23

IXFA18N60X Technisches Datenblatt

nicht konform

IXFA18N60X Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
50 $5.20700 $260.35
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 18A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 230mOhm @ 9A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4.5V @ 1.5mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 35 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1440 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 320W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket TO-263 (IXFA)
Paket / Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Zugehörige Teilenummer

PHD71NQ03LT,118
PHD71NQ03LT,118
$0 $/Stück
NVMFS5C680NLWFT1G
NVMFS5C680NLWFT1G
$0 $/Stück
DMP2004WK-7
SI2304BDS-T1-BE3
VN2410L-G-P013
BUK7613-100E,118
IXFP36N60X3
IXFP36N60X3
$0 $/Stück

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