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SPD30N03S2L07GBTMA1

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SPD30N03S2L07GBTMA1

MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3

SOT-23

nicht konform

SPD30N03S2L07GBTMA1 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.56000 $0.56
500 $0.5544 $277.2
1000 $0.5488 $548.8
1500 $0.5432 $814.8
2000 $0.5376 $1075.2
2500 $0.532 $1330
7500 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 30A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 6.7mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2V @ 85µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 68 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2530 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 136W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PG-TO252-3
Paket / Koffer TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Zugehörige Teilenummer

BUK7613-100E,118
IXFP36N60X3
IXFP36N60X3
$0 $/Stück
STFI20NK50Z
NTD4854NT4G
NTD4854NT4G
$0 $/Stück
STP33N60M6
STP33N60M6
$0 $/Stück
FCP165N65S3
FCP165N65S3
$0 $/Stück

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