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BSC047N08NS3GATMA1

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MOSFET N-CH 80V 18A/100A TDSON

SOT-23

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BSC047N08NS3GATMA1 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
5,000 $1.23481 -
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 80 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 18A (Ta), 100A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 6V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 4.7mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3.5V @ 90µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 69 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 4800 pF @ 40 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 2.5W (Ta), 125W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PG-TDSON-8-1
Paket / Koffer 8-PowerTDFN
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Zugehörige Teilenummer

NTD4854NT4G
NTD4854NT4G
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STP33N60M6
STP33N60M6
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FCP165N65S3
FCP165N65S3
$0 $/Stück
SFP2955
SQJ180EP-T1_GE3
SI7116BDN-T1-GE3
CSD18535KCS
CSD18535KCS
$0 $/Stück
SI2387DS-T1-GE3

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