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IXFB60N80P

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IXYS

MOSFET N-CH 800V 60A PLUS264

IXFB60N80P Technisches Datenblatt

nicht konform

IXFB60N80P Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $21.52000 $21.52
25 $18.09320 $452.33
100 $16.62600 $1662.6
500 $14.18100 $7090.5
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 800 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 60A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 140mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 8mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 250 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 18000 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 1250W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket PLUS264™
Paket / Koffer TO-264-3, TO-264AA
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Zugehörige Teilenummer

BUK661R6-30C118
BUK661R6-30C118
$0 $/Stück
DMP22D6UT-7
IRFL9110TRPBF
FQB19N20CTM
FQB19N20CTM
$0 $/Stück
SIHW47N60EF-GE3
FDB6030BL
IRFP32N50KPBF
APT37F50S

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