Welcome to ichome.com!

logo
Heim

IXFB82N60P

IXFB82N60P

IXFB82N60P

IXYS

MOSFET N-CH 600V 82A PLUS264

IXFB82N60P Technisches Datenblatt

nicht konform

IXFB82N60P Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
25 $17.74800 $443.7
0 items
Bom Kosten senken
Bom Kosten senken
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 82A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 75mOhm @ 41A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 8mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 240 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 23000 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 1250W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket PLUS264™
Paket / Koffer TO-264-3, TO-264AA
Das Laden der PDF ist fehlgeschlagen. Sie können versuchen, sie in einem neuen Fenster zu öffnen, um darauf zuzugreifen [Offen], oder klicken Sie hier, um zurückzukehren

Zugehörige Teilenummer

FQU1N80TU
CSD16404Q5A
CSD16404Q5A
$0 $/Stück
IRLU110PBF
IRLU110PBF
$0 $/Stück
IRFZ40PBF-BE3
IRF6644TRPBF
IXTK550N055T2
IXTK550N055T2
$0 $/Stück
2N7002K-7
2N7002K-7
$0 $/Stück
MCM1208-TP
STP25N60M2-EP

Ihr zuverlässiger Partner in der Elektronik

Wir sind bestrebt, Ihre Erwartungen zu übertreffen. IChome: Kundenservice neu definiert für die Elektronikbranche.