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STP25N60M2-EP

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MOSFET N-CH 600V 18A TO220

nicht konform

STP25N60M2-EP Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $4.84000 $4.84
50 $3.94420 $197.21
100 $3.61860 $361.86
500 $2.98368 $1491.84
1,000 $2.56040 -
2,500 $2.44644 -
1097 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 18A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 188mOhm @ 9A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4.75V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 29 nC @ 10 V
vgs (max) ±25V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1090 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 150W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220
Paket / Koffer TO-220-3
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Zugehörige Teilenummer

SQJ158EP-T1_GE3
SIR618DP-T1-GE3
IXTY18P10T
IXTY18P10T
$0 $/Stück
IXFZ140N25T
IXFZ140N25T
$0 $/Stück
NVTYS004N04CTWG
NVTYS004N04CTWG
$0 $/Stück
APT40N60JCU3

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