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SIR618DP-T1-GE3

SIR618DP-T1-GE3

SIR618DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 200V 14.2A PPAK SO-8

compliant

SIR618DP-T1-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.54694 -
6,000 $0.52126 -
15,000 $0.50292 -
Inventory changes frequently.
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 200 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 14.2A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 7.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 95mOhm @ 8A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 16 nC @ 7.5 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 740 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 48W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® SO-8
Paket / Koffer PowerPAK® SO-8
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Zugehörige Teilenummer

IXTY18P10T
IXTY18P10T
$0 $/Stück
IXFZ140N25T
IXFZ140N25T
$0 $/Stück
NVTYS004N04CTWG
NVTYS004N04CTWG
$0 $/Stück
APT40N60JCU3
IXTQ180N10T
IXTQ180N10T
$0 $/Stück
TP2540N3-G

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