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SQJ158EP-T1_GE3

SQJ158EP-T1_GE3

SQJ158EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 60V 23A PPAK SO-8

compliant

SQJ158EP-T1_GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.28476 -
6,000 $0.26628 -
15,000 $0.25704 -
30,000 $0.25200 -
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 60 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 23A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 33mOhm @ 7A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 30 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1100 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 45W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® SO-8
Paket / Koffer PowerPAK® SO-8
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Zugehörige Teilenummer

SIR618DP-T1-GE3
IXTY18P10T
IXTY18P10T
$0 $/Stück
IXFZ140N25T
IXFZ140N25T
$0 $/Stück
NVTYS004N04CTWG
NVTYS004N04CTWG
$0 $/Stück
APT40N60JCU3
IXTQ180N10T
IXTQ180N10T
$0 $/Stück

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