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IXFE23N100

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IXYS

MOSFET N-CH 1000V 21A SOT227B

IXFE23N100 Technisches Datenblatt

compliant

IXFE23N100 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $33.60000 $33.6
Inventory changes frequently.
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 1000 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 21A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 430mOhm @ 11.5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 8mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 250 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 7000 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 500W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Chassis Mount
Lieferantengerätepaket SOT-227B
Paket / Koffer SOT-227-4, miniBLOC
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