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IXFH12N100F

IXFH12N100F

IXFH12N100F

IXYS

MOSFET N-CH 1000V 12A TO247AD

IXFH12N100F Technisches Datenblatt

compliant

IXFH12N100F Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
30 $8.26167 $247.8501
Inventory changes frequently.
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 1000 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 12A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 1.05Ohm @ 6A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5.5V @ 4mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 77 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2700 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 300W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-247AD (IXFH)
Paket / Koffer TO-247-3
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Zugehörige Teilenummer

FDB024N08BL7
FDB024N08BL7
$0 $/Stück
STI300N4F6
STI300N4F6
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IXFN80N60P3
IXFN80N60P3
$0 $/Stück
NTZS3151PT1G
NTZS3151PT1G
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RYC002N05T316
NVMYS014N06CLTWG
NVMYS014N06CLTWG
$0 $/Stück

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