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IXFN80N60P3

IXFN80N60P3

IXFN80N60P3

IXYS

MOSFET N-CH 600V 66A SOT-227B

IXFN80N60P3 Technisches Datenblatt

compliant

IXFN80N60P3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $21.20000 $21.2
10 $19.61000 $196.1
100 $16.74800 $1674.8
500 $14.84000 $7420
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 66A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 70mOhm @ 40A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 8mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 190 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 13100 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 960W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Chassis Mount
Lieferantengerätepaket SOT-227B
Paket / Koffer SOT-227-4, miniBLOC
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Zugehörige Teilenummer

NTZS3151PT1G
NTZS3151PT1G
$0 $/Stück
RYC002N05T316
NVMYS014N06CLTWG
NVMYS014N06CLTWG
$0 $/Stück
FQAF27N25
NVMFS5C646NLWFAFT1G
NVMFS5C646NLWFAFT1G
$0 $/Stück
FDMC86340ET80
FDMC86340ET80
$0 $/Stück

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