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IXFH14N80

IXFH14N80

IXFH14N80

IXYS

MOSFET N-CH 800V 14A TO247AD

IXFH14N80 Technisches Datenblatt

compliant

IXFH14N80 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
30 $10.93367 $328.0101
0 items
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 800 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 14A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 700mOhm @ 500mA, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4.5V @ 4mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 200 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 4870 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 300W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-247AD (IXFH)
Paket / Koffer TO-247-3
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Zugehörige Teilenummer

IXFH24N50
IXFH24N50
$0 $/Stück
FQP19N20C_F080
FQP19N20C_F080
$0 $/Stück
BUK725R0-40C,118
2N7002BKM,315
SI6473DQ-T1-E3
FQPF10N60CT
FQPF10N60CT
$0 $/Stück
NDD04N60ZT4G
NDD04N60ZT4G
$0 $/Stück
SIRA34DP-T1-GE3

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