Welcome to ichome.com!

logo
Heim

FQPF10N60CT

FQPF10N60CT

FQPF10N60CT

onsemi

MOSFET N-CH 600V 9.5A TO220F

FQPF10N60CT Technisches Datenblatt

compliant

FQPF10N60CT Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
0 items
Bom Kosten senken
Bom Kosten senken
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 9.5A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 730mOhm @ 4.75A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 57 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2040 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 50W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220F-3
Paket / Koffer TO-220-3 Full Pack
Das Laden der PDF ist fehlgeschlagen. Sie können versuchen, sie in einem neuen Fenster zu öffnen, um darauf zuzugreifen [Offen], oder klicken Sie hier, um zurückzukehren

Zugehörige Teilenummer

NDD04N60ZT4G
NDD04N60ZT4G
$0 $/Stück
SIRA34DP-T1-GE3
SI4420DYPBF
IRFR1010ZPBF
BSL207SP
IXFX180N085
IXFX180N085
$0 $/Stück
IRF620L
IRF620L
$0 $/Stück

Ihr zuverlässiger Partner in der Elektronik

Wir sind bestrebt, Ihre Erwartungen zu übertreffen. IChome: Kundenservice neu definiert für die Elektronikbranche.