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IXFH14N80P

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IXYS

MOSFET N-CH 800V 14A TO247AD

IXFH14N80P Technisches Datenblatt

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IXFH14N80P Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
30 $4.83767 $145.1301
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 800 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 14A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 720mOhm @ 500mA, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5.5V @ 4mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 61 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 3900 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 400W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-247AD (IXFH)
Paket / Koffer TO-247-3
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Zugehörige Teilenummer

IRFZ34STRLPBF
NVF2201NT1G
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$0 $/Stück
APT58M50JCU2
HUF76609D3S
IXFP7N80P
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$0 $/Stück
CSD18536KTTT
PMZB420UN,315
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$0 $/Stück
FQA9P25
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