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IXFH150N20T

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IXYS

MOSFET N-CH 200V 150A TO247AD

IXFH150N20T Technisches Datenblatt

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IXFH150N20T Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
30 $11.04467 $331.3401
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 200 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 150A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 15mOhm @ 75A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 4mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 177 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 11700 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 890W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-247AD (IXFH)
Paket / Koffer TO-247-3
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