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SIR872ADP-T1-GE3

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Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 150V 53.7A PPAK SO-8

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SIR872ADP-T1-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.91930 -
6,000 $0.88740 -
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 150 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 53.7A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 7.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 18mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 47 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1286 pF @ 75 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® SO-8
Paket / Koffer PowerPAK® SO-8
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Zugehörige Teilenummer

STP40NF03L
STP40NF03L
$0 $/Stück
IRFW640BTM
FDPF680N10T
IXFP4N85XM
IXFP4N85XM
$0 $/Stück
DMP3056LDM-7
IRF7820TRPBF

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