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IXFH170N10P

IXFH170N10P

IXFH170N10P

IXYS

MOSFET N-CH 100V 170A TO247AD

IXFH170N10P Technisches Datenblatt

compliant

IXFH170N10P Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
30 $7.85167 $235.5501
Inventory changes frequently.
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 100 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 170A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 9mOhm @ 500mA, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 4mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 198 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 6000 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 715W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-247AD (IXFH)
Paket / Koffer TO-247-3
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Zugehörige Teilenummer

DMTH6004SCTB-13
NVMYS1D2N04CLTWG
NVMYS1D2N04CLTWG
$0 $/Stück
QS5U27TR
QS5U27TR
$0 $/Stück
APT20M11JLL
TP65H035G4WS
TP65H035G4WS
$0 $/Stück
FQD2N90TM
FQD2N90TM
$0 $/Stück

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