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IXFH24N80P

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IXYS

MOSFET N-CH 800V 24A TO247AD

IXFH24N80P Technisches Datenblatt

nicht konform

IXFH24N80P Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $8.78000 $8.78
30 $7.19567 $215.8701
120 $6.49350 $779.22
510 $5.44051 $2774.6601
1,020 $4.91400 -
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 800 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 24A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 400mOhm @ 12A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 4mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 105 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 7200 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 650W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-247AD (IXFH)
Paket / Koffer TO-247-3
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Zugehörige Teilenummer

RQ5E025SNTL
DMN6140LQ-7
CSD19531KCS
CSD19531KCS
$0 $/Stück
NTD3813NT4G
NTD3813NT4G
$0 $/Stück
SIHFZ48RS-GE3
RQ5L020SNTL
RM16P60LD
RM16P60LD
$0 $/Stück

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