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TK6A80E,S4X

TK6A80E,S4X

TK6A80E,S4X

MOSFET N-CH 800V 6A TO220SIS

TK6A80E,S4X Technisches Datenblatt

compliant

TK6A80E,S4X Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $1.89000 $1.89
50 $1.52760 $76.38
100 $1.37480 $137.48
500 $1.06926 $534.63
1,000 $0.88595 -
2,500 $0.85540 -
40 items
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 800 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 6A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 1.7Ohm @ 3A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 600µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 32 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1350 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 45W (Tc)
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220SIS
Paket / Koffer TO-220-3 Full Pack
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