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SQD40030E_GE3

SQD40030E_GE3

SQD40030E_GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CHANNEL 40V TO252AA

compliant

SQD40030E_GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
2,000 $0.72072 -
6,000 $0.68468 -
10,000 $0.65894 -
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 40 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 100A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs -
vgs(th) (max) @ ID -
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 65 nC @ 10 V
vgs (max) -
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds -
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) -
Betriebstemperatur 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket TO-252AA
Paket / Koffer TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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