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SIA459EDJ-T1-GE3

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Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 20V 9A PPAK SC70-6

nicht konform

SIA459EDJ-T1-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.19494 -
6,000 $0.18306 -
15,000 $0.17118 -
30,000 $0.16286 -
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 20 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 9A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 2.5V, 4.5V
rds ein (max) @ id, vgs 35mOhm @ 5A, 4.5V
vgs(th) (max) @ ID 1.2V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 30 nC @ 10 V
vgs (max) ±12V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 885 pF @ 10 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 2.9W (Ta), 15.6W (Tc)
Betriebstemperatur -50°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® SC-70-6
Paket / Koffer PowerPAK® SC-70-6
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Zugehörige Teilenummer

SQS405EN-T1_GE3
IV1Q12050T4
IV1Q12050T4
$0 $/Stück
NTMFSC004N08MC
NTMFSC004N08MC
$0 $/Stück
IRFP250MPBF
NTNS0K8N021ZTCG
NTNS0K8N021ZTCG
$0 $/Stück
NVD5C460NLT4G
NVD5C460NLT4G
$0 $/Stück

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