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IXFH36N55Q2

IXFH36N55Q2

IXFH36N55Q2

IXYS

MOSFET N-CH 550V 36A TO247AD

IXFH36N55Q2 Technisches Datenblatt

compliant

IXFH36N55Q2 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
30 $14.33767 $430.1301
Inventory changes frequently.
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 550 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 36A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 180mOhm @ 500mA, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 4mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 110 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 4100 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 560W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-247AD (IXFH)
Paket / Koffer TO-247-3
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Zugehörige Teilenummer

STI18NM60N
STI18NM60N
$0 $/Stück
STB190NF04T4
BSP135 E6906
FDD3N40TF
FDD3N40TF
$0 $/Stück
AUIRF7805Q
IRF6621TR1PBF
FQPF11N40T
FQPF11N40T
$0 $/Stück
IRLR3303TRPBF
SI3465DV-T1-E3

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