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IXFH50N60P3

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IXYS

MOSFET N-CH 600V 50A TO247AD

IXFH50N60P3 Technisches Datenblatt

nicht konform

IXFH50N60P3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $7.40000 $7.4
30 $6.06800 $182.04
120 $5.47600 $657.12
510 $4.58800 $2339.88
1,020 $4.14400 -
1107 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 50A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 145mOhm @ 500mA, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 4mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 94 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 6300 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 1040W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-247AD (IXFH)
Paket / Koffer TO-247-3
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Zugehörige Teilenummer

STB8N90K5
STB8N90K5
$0 $/Stück
IRFP22N60KPBF
FQI5N80TU
APT80F60J
EMH2801-TL-H
EMH2801-TL-H
$0 $/Stück
STD12NF06T4
R6070JNZ4C13
IXFA180N10T2-TRL
IXFA180N10T2-TRL
$0 $/Stück

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