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IXFH6N120

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IXYS

MOSFET N-CH 1200V 6A TO247AD

IXFH6N120 Technisches Datenblatt

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IXFH6N120 Preise und Bestellung

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30 $7.48267 $224.4801
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 1200 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 6A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 2.6Ohm @ 3A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 2.5mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 56 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1950 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 300W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-247AD (IXFH)
Paket / Koffer TO-247-3
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Zugehörige Teilenummer

SI4128DY-T1-GE3
BUK7606-55B,118
IXTA2R4N120P
IXTA2R4N120P
$0 $/Stück
FQP2N40-F080
FQP2N40-F080
$0 $/Stück
IXFP130N15X3
IXFP130N15X3
$0 $/Stück
PHD97NQ03LT,118
ECH8310-TL-H
ECH8310-TL-H
$0 $/Stück
BFL4036-1E
BFL4036-1E
$0 $/Stück

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