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IXFN150N15

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IXYS

MOSFET N-CH 150V 150A SOT227B

IXFN150N15 Technisches Datenblatt

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IXFN150N15 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 150 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 150A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 12.5mOhm @ 75A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 8mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 360 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 9100 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 600W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Chassis Mount
Lieferantengerätepaket SOT-227B
Paket / Koffer SOT-227-4, miniBLOC
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Zugehörige Teilenummer

IRF730L
IRF730L
$0 $/Stück
SI1417EDH-T1-GE3
IRFP17N50L
IRFP17N50L
$0 $/Stück
BUK755R2-40B,127
STB5NK52ZD-1
IRF3305PBF
STF2NK60Z
STF2NK60Z
$0 $/Stück

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