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IXFN160N30T

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IXYS

MOSFET N-CH 300V 130A SOT227B

IXFN160N30T Technisches Datenblatt

nicht konform

IXFN160N30T Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $21.76000 $21.76
10 $20.12800 $201.28
30 $18.49600 $554.88
100 $17.19040 $1719.04
250 $15.77600 $3944
500 $15.01440 $7507.2
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 300 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 130A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 19mOhm @ 60A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 8mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 335 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 28000 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 900W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Chassis Mount
Lieferantengerätepaket SOT-227B
Paket / Koffer SOT-227-4, miniBLOC
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Zugehörige Teilenummer

DMN601WKQ-7
2V7002WT1G
2V7002WT1G
$0 $/Stück
2SJ650
2SJ650
$0 $/Stück
BS870-7-F
BS870-7-F
$0 $/Stück
IRF840SPBF
IRF840SPBF
$0 $/Stück
SUP57N20-33-E3
AUIRFR48ZTRL

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