Welcome to ichome.com!

logo
Heim

IXFN170N30P

IXFN170N30P

IXFN170N30P

IXYS

MOSFET N-CH 300V 138A SOT-227B

IXFN170N30P Technisches Datenblatt

compliant

IXFN170N30P Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
10 $32.19000 $321.9
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
Bom Kosten senken
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 300 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 138A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 18mOhm @ 85A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4.5V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 258 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 20000 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 890W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Chassis Mount
Lieferantengerätepaket SOT-227B
Paket / Koffer SOT-227-4, miniBLOC
Das Laden der PDF ist fehlgeschlagen. Sie können versuchen, sie in einem neuen Fenster zu öffnen, um darauf zuzugreifen [Offen], oder klicken Sie hier, um zurückzukehren

Zugehörige Teilenummer

Ihr zuverlässiger Partner in der Elektronik

Wir sind bestrebt, Ihre Erwartungen zu übertreffen. IChome: Kundenservice neu definiert für die Elektronikbranche.