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IXFN200N10P

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IXYS

MOSFET N-CH 100V 200A SOT-227B

IXFN200N10P Technisches Datenblatt

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IXFN200N10P Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
10 $19.38000 $193.8
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 100 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 200A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 7.5mOhm @ 500mA, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 8mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 235 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 7600 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 680W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Chassis Mount
Lieferantengerätepaket SOT-227B
Paket / Koffer SOT-227-4, miniBLOC
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Zugehörige Teilenummer

SI7315DN-T1-GE3
EPC2059
EPC2059
$0 $/Stück
IRF4104PBF
RQ3E100MNTB1
STFI13NK60Z
NTMFS4C06NT3G
NTMFS4C06NT3G
$0 $/Stück
R6076ENZ4C13
NTMJS1D6N06CLTWG
NTMJS1D6N06CLTWG
$0 $/Stück

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