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IXFN32N100Q3

IXFN32N100Q3

IXFN32N100Q3

IXYS

MOSFET N-CH 1000V 28A SOT227B

compliant

IXFN32N100Q3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $45.51000 $45.51
10 $42.55800 $425.58
100 $36.90000 $3690
10 items
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 1000 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 28A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 320mOhm @ 16A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 6.5V @ 8mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 195 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 9940 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 780W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Chassis Mount
Lieferantengerätepaket SOT-227B
Paket / Koffer SOT-227-4, miniBLOC
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Zugehörige Teilenummer

IRFP23N50LPBF
FQA38N30
SI4628DY-T1-GE3
SQJ431EP-T1_GE3
2N7002KA-TP
BUK6D120-40EX
NTP8G206NG
NTP8G206NG
$0 $/Stück
NTMSD3P102R2
NTMSD3P102R2
$0 $/Stück

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