Welcome to ichome.com!
| Name | Wert |
|---|---|
| Produktstatus | Obsolete |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Drain-Source-Spannung (VDSS) | 600 V |
| Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C | 17A (Tc) |
| Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) | 8V |
| rds ein (max) @ id, vgs | 180mOhm @ 11A, 8V |
| vgs(th) (max) @ ID | 2.6V @ 500µA |
| Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs | 9.3 nC @ 4.5 V |
| vgs (max) | ±18V |
| Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds | 760 pF @ 480 V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 96W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montageart | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | TO-220 |
| Paket / Koffer | TO-220-3 |
Wir sind bestrebt, Ihre Erwartungen zu übertreffen. IChome: Kundenservice neu definiert für die Elektronikbranche.