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IXFN55N50F

IXFN55N50F

IXFN55N50F

IXYS

MOSFET N-CH 500V 55A SOT227B

IXFN55N50F Technisches Datenblatt

compliant

IXFN55N50F Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $37.96000 $37.96
10 $35.11300 $351.13
30 $32.26600 $967.98
100 $29.98840 $2998.84
250 $27.52100 $6880.25
Inventory changes frequently.
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 500 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 55A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 85mOhm @ 27.5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5.5V @ 8mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 195 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 6700 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 600W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Chassis Mount
Lieferantengerätepaket SOT-227B
Paket / Koffer SOT-227-4, miniBLOC
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Zugehörige Teilenummer

IPD78CN10NG
FQA20N40
FQA20N40
$0 $/Stück
STL80N3LLH6
IRF7422D2TR
BSP318S E6327
IXFC74N20P
IXFC74N20P
$0 $/Stück
IRF7834
IRF7834
$0 $/Stück

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