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IXFN70N100X

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IXYS

MOSFET N-CH 1000V 56A SOT227B

IXFN70N100X Technisches Datenblatt

nicht konform

IXFN70N100X Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $48.41000 $48.41
30 $41.87200 $1256.16
120 $39.25500 $4710.6
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 1000 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 56A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 89mOhm @ 35A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 6V @ 8mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 350 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 9150 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 1200W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Chassis Mount
Lieferantengerätepaket SOT-227B
Paket / Koffer SOT-227-4, miniBLOC
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Zugehörige Teilenummer

FQU11P06TU
FQU11P06TU
$0 $/Stück
SQM60N20-35_GE3
BUK9Y19-100E,115
SIHH068N60E-T1-GE3
STFW2N105K5
NTMFS4120NT1G
NTMFS4120NT1G
$0 $/Stück

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