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IPD60R1K5CEATMA1

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IPD60R1K5CEATMA1

MOSFET N-CH 600V 3.1A TO252-3

compliant

IPD60R1K5CEATMA1 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
2,500 $0.21979 -
5,000 $0.20561 -
12,500 $0.19143 -
25,000 $0.18150 -
23 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Discontinued at Digi-Key
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 3.1A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 1.5Ohm @ 1.1A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3.5V @ 90µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 9.4 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 200 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 28W (Tc)
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PG-TO252-3
Paket / Koffer TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Zugehörige Teilenummer

IXFH32N100X
IXFH32N100X
$0 $/Stück
SQD40052EL_GE3
SIHF22N60E-GE3
DMG3414U-7
SUP70101EL-GE3
IRFZ34NPBF

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