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SIHF22N60E-GE3

SIHF22N60E-GE3

SIHF22N60E-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 600V 21A TO220

compliant

SIHF22N60E-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $4.62000 $4.62
50 $3.73380 $186.69
100 $3.41480 $341.48
500 $2.79270 $1396.35
1,000 $2.37800 -
2,500 $2.26635 -
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 21A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 180mOhm @ 11A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 86 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1920 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 35W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220 Full Pack
Paket / Koffer TO-220-3 Full Pack
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Zugehörige Teilenummer

DMG3414U-7
SUP70101EL-GE3
IRFZ34NPBF
SI3415-TP
SI3415-TP
$0 $/Stück
SI5418DU-T1-GE3
STL86N3LLH6AG
ZVP2106A
ZVP2106A
$0 $/Stück
SQ3426EV-T1_BE3

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